上海雷卯电子-MOSFET场效应管_MOS管选型_电源管理解决方案_电磁兼容EMC免费测试供应厂家

MOSFET de canal N

LMFZ150N10

  • PackageTO-263
  • Vdss Min(V) Drain-Source voltage100
  • Drain Current ID(A)25℃150
  • Vgs(V)20
  • Vth Typ2.9
  • Ron(10V) (mΩ)Typ4.2
  • Ron(10V) (mΩ) Max5.5
  • Ron(4.5V) (mΩ)Typ-
  • Ron(4.5V) (mΩ)Max-
  • Mas Menos
    Características/aplicaciones
    Características/aplicaciones
    investigación
    investigación
    ver_code