Fet de MOSFET
I. introducción a MOSFET
Transistor de efecto de Campo semiconductor de óxido de metal, conocido como MOSFET. es UN transistor de efecto de Campo que se puede usar ampliamente en circuitos analógicos y digitales. MOSFET de acuerdo con su " canal" ( portador de trabajo ) polaridad diferente, se puede dividir en dos tipos de " tipo n" y " tipo p", comúnmente conocido como N-MOSFET y P-MOSFET, MOSFET es ampliamente utilizado en interruptores electrónicos de circuito.
Second, MOSFET selection techniques
1. seleccione n canal o p canal, en El interruptor lateral de Baja tensión, debe usar n canal MOSFET, que se debe a consideraciones de voltaje requeridas para apagar o conducir El dispositivo. Cuando MOSFET está conectado al bus y la carga está conectada a Tierra, use UN interruptor lateral de alto voltaje. Por lo general, debido a consideraciones de accionamiento de voltaje;
2.Cuanto mayor sea El voltaje nominal, mayor será El costo del dispositivo, Vos debe cubrir El rango de voltaje de funcionamiento nominal del circuito y prestar atención a la curva de temperatura;
3. determine la corriente nominal, la corriente nominal debe ser la corriente máxima que la carga puede soportar en todas las circunstancias;
4.Después de seleccionar la corriente nominal, también debe calcular la pérdida de conducción. MOSFET es como una resistencia variable cuando se " conduce", determinada por los RDS(ON ) del dispositivo y varía significativamente con la temperatura. La pérdida de potencia del dispositivo se puede calcular por lload2xRDS(ON ) también cambiará proporcionalmente. Cuanto mayor sea El voltaje VGS aplicado a MOSFET, menor será Ros(ON ); Por El contrario, Rps(ON ) tendrá que comprometerse. Para diseños portátiles, El uso de UN diseño más alto, puede usar UN voltaje más alto. Tenga en cuenta que la resistencia Ros(ON ) aumentará ligeramente con la corriente;
5. determine El rendimiento del interruptor, es la puerta / fuga, la puerta / fuente y la capacitancia de la fuente de fuga. Estos condensadores generan pérdidas de conmutación en El dispositivo porque son bajos en cada interruptor y la eficiencia del dispositivo disminuye. Para calcular la pérdida total del dispositivo durante El proceso de conmutación, El diseñador debe calcular la pérdida durante la apertura ( Eon ) y la pérdida durante El cierre ( Eoff ). |
Part Number |
Package
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Vdss Min(V) Drain-Source voltage
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Drain Current ID(A)25℃
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Vgs(V)
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Vth Typ
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Ron(10V) (mΩ)Typ
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Ron(10V) (mΩ) Max
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Ron(4.5V) (mΩ)Typ
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Ron(4.5V) (mΩ)Max
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Inner Diagram | Data sheet |
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LMQ3400A | DFN2020-6 | 30 | 7.7 | 12 | 0.9 | 21 | 27 | 25 | 33 | ||
LM4D8809 | DFN2*3-6 | 20 | 9.5+9.5 | 12 | -0.45..-1.5 | - | - | 7.8 | 9 | ||
LMXD0210 (ESD) | DFN3.3X3.3-8 | 20 | 6.5 | 8 | 0.6 | - | - | 18 | 22 | ||
LCE9926 | SOP-8 | 20 | 6 | 10 | 0.7 | - | - | 20 | 28 | ||
LM9926 | SOP-8 | 20 | 6.5+6.5 | 12 | 0.7 | - | - | 20 | 28 | ||
LO9926B | SOP-8 | 20 | 6 | 10 | 0.7 | - | - | 20 | 28 | ||
LCE30ND07S | SOP-8 | 30 | 7 | 20 | 1.1..2.1 | 18 | 23 | 25 | 40 | ||
LMS3404A | SOP-8 | 30 | 8.5 | 20 | 1.5 | 21 | 23 | 27 | 32 | ||
LM8S10ND03 | SOP-8 | 30 | 10+10 | 20 | 1.6 | 9 | 12 | 14 | 18 | ||
LM8S6ND03 | SOP-8 | 30 | 7.8+7.8 | 20 | 1.6 | 15 | 22 | 20 | 30 | ||
LM4946 | SOP-8 | 60 | 4.5 | 20 | 2 | - | - | 38 | 45 | ||
LCE6005AS | SOP-8 | 60 | 5 | 20 | 1.6 | 26 | 35 | 32 | 45 | ||
LM8S6ND06 | SOP-8 | 60 | 6 | 20 | 1.6 | 26 | 35 | 32 | 45 | ||
LM8S10ND06 | SOP-8 | 60 | 10+10 | 20 | 1.5 | 15.6 | 20 | 20 | 28 | ||
LMS8205A | SOT-23-6 | 20 | 4 | 10 | 0.62 | - | - | 19.5 | 25 | ||
LM8205 | SOT-23-6 | 20 | 6 | 8 | 0.65 | - | - | 20 | 25 | ||
NTJD4401N (ESD) | SOT-363 | 20 | 0.63/0.91 | 12 | 0.92 | - | - | 290 | 375 | ||
LM4001N | SOT-363 | 30 | 0.25 | 20 | 1.1 | 1500 | 2000 | 2000 | 3000 | ||
2N7002DW | SOT-363 | 60 | 0.115 | 20 | 1..2 | 7.5 | - | - | - | ||
LM2D3PD02 | Dual P | -20 | -3 | 8 | -0.7 | - | - | 70 | 120 | ||
LCE4953 | Dual P | -30 | -5.1 | 20 | -1.6 | 43 | 55 | 62 | 90 | ||
LE405E | Dual P | -30 | -5 | 20 | -1.4 | 55 | 60 | 80 | 95 | ||
LCE4801 | Dual P | -30 | -5 | 12 | -1 | 40 | 48 | 45 | 57 | ||
LM8S8PD04 | Dual P | -40 | -8.2 | 20 | -1.6 | 35 | 40 | 48 | 65 | ||
LM2D5PN01 | DFN2020-6 | 12/-12 | 5.6@N -3.8@P | 8 | 0.4..1/-0.4..-1 | - | - | 17/37 | 29/61 | ||
LCE1205 | DFN2020-6 | 12/-12 | 5@N/-5@P | 12 | 0.6/-0.7 | - | - | 28/60 | 32/74 | ||
LM5D25PN02 | DFN5X6-8 | 20/-20 | 32@N -26.8@P | 20 | 0.65/-0.7 | - | - | 7.7/16.8 | 10/20 | ||
LM5D15PN03 | DFN5X6-8 | 30/-30 | 18@N -15@P | 20 | 1.6/-1..-2.5 | 15/25 | 22/32 | 20/37 | 30/54 | ||
LM5D20PN03 | DFN5X6-8 | 30/-30 | 28@N -19.7@P | 20 | 1.6/-1.6 | 8.5/20 | 12/25 | 11/28 | 16/38 | ||
LM4606 | SOP-8 | 30/-30 | 6.2@N -4.8@P | 20 | 1.6/-1.7 | 18/42 | 25/55 | 24/68 | 40/85 |