上海雷卯电子-MOSFET场效应管_MOS管选型_电源管理解决方案_电磁兼容EMC免费测试供应厂家

MOSFET de canal N

LMAK20N10

  • PackageTO-252
  • Vdss Min(V) Drain-Source voltage100
  • Drain Current ID(A)25℃19.3
  • Vgs(V)20
  • Vth Typ1.85
  • Ron(10V) (mΩ)Typ65
  • Ron(10V) (mΩ) Max85
  • Ron(4.5V) (mΩ)Typ75
  • Ron(4.5V) (mΩ)Max100
  • Mas Menos
    Características/aplicaciones
    Características/aplicaciones
    investigación
    investigación
    ver_code