上海雷卯电子-MOSFET场效应管_MOS管选型_电源管理解决方案_电磁兼容EMC免费测试供应厂家

MOSFET de canal N

LM9N20RD

  • PackageTO-252
  • Vdss Min(V) Drain-Source voltage200
  • Drain Current ID(A)25℃9
  • Vgs(V)20
  • Vth Typ2..4
  • Ron(10V) (mΩ)Typ250
  • Ron(10V) (mΩ) Max300
  • Ron(4.5V) (mΩ)Typ-
  • Ron(4.5V) (mΩ)Max-
  • Mas Menos
    Características/aplicaciones
    Características/aplicaciones
    investigación
    investigación
    ver_code