上海雷卯电子-MOSFET场效应管_MOS管选型_电源管理解决方案_电磁兼容EMC免费测试供应厂家

MOSFET de doble canal P

LCE4953

  • PackageDual P
  • Vdss Min(V) Drain-Source voltage-30
  • Drain Current ID(A)25℃-5.1
  • Vgs(V)20
  • Vth Typ-1.6
  • Ron(10V) (mΩ)Typ43
  • Ron(10V) (mΩ) Max55
  • Ron(4.5V) (mΩ)Typ62
  • Ron(4.5V) (mΩ)Max90
  • Mas Menos
    Características/aplicaciones
    Características/aplicaciones
    investigación
    investigación
    ver_code