Aplicaciones por industria
8.1 Surge electrostático GaN Solución de protección
Antecedentes: El nitruro de galio (GaN) no posee intrínsecamente la capacidad de absorber sobretensiones transitorias. Durante los transientes de conmutación de circuitos y las sobretensiones inducidas por rayos, la sobrecorriente y la sobretensión no deben exceder la capacidad nominal del dispositivo GaN.
Ventajas de la solución: Un diodo TVS (Supresión de Voltaje Transitorio) colocado en el lado primario de un transformador de potencia de vuelta puede absorber eficazmente la energía de los picos de sobrevoltaje generados por los transientes de conmutación FET. Reacciona rápidamente, presenta una baja tensión de sujeción y es controlable.
En esta solución, el componente único PTVS160AF se utiliza para la protección. Este dispositivo cuenta con capacidades de manejo de alta potencia, un pequeño factor de forma y ahorra espacio en el diseño del circuito.
